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基于再生长欧姆接触工艺的220 GHz InAlN/GaN场效应晶体管(英文)
在蓝宝石衬底上研制了具有高电流增益截止频率(f_T)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+-GaN欧姆接触工艺实现......
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欧姆接触
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